NTD4858NAT4G

产品描述

POWER MOSFET 25V 70A SINGLE N-CHANNEL

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规格书	NTD4858N
文档	Multiple Devices 27/Jan/2012
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Product Discontinuation 27/Jan/2012
标准包装	2,500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	25V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	11.2A
Rds（最大）@ ID，VGS	6.2 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	19.2nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1563pF @ 12V
功率 - 最大	2W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	D-Pak
包装材料	Tape & Reel (TR)
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	11.2A (Ta), 73A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装	D-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	6.2 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	2W
标准包装	2,500
漏极至源极电压（Vdss）	25V
输入电容（Ciss ） @ VDS	1563pF @ 12V
闸电荷（Qg ） @ VGS	19.2nC @ 4.5V
工厂包装数量	2500
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	73 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	5.2 mOhms
功率耗散	2 W
最低工作温度	- 55 C
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	25 V
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
NTD4858N-1G	ON Semiconductor	MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
NTD4858N-1G	rochester electronics
NTD4858N-35G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
NTD4858N-35H	on semiconductor	POWER MOSFET 25V, 70A, SI
NTD4858NA-1G	ON Semiconductor	MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
NTD4858NA-35G	ON Semiconductor	MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
NTD4858NA-35G	rochester electronics
NTD4858NT4G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
NTD4858NT4G	rochester electronics
NTD4858NT4G/BKN	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
NTD4858NT4H	on semiconductor	NFET DPAK 25V 73A 0.0062R

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